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电感耦合等离子体发射光谱法测定工业硅中微量元素

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发表于 2009-12-29 13:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
[align=justify]摘 要:采用电感耦合等离子体发射光谱法同时测定工业硅中可能存在的铝、铁、钙、镁、钾、钠、磷、钡、铍、镉、铈、钴、铬、铜、锂、锰、钼、镍、铅、钛、钒、钨、锌、砷、锶、铼、锑、硼28个微量元素,并以差减法计算基体硅的含量,实现了对试样基体及杂质元素含量的同时测定.方法对28个微量元素的回收率为94.0%~103.4%,精密度(RSD,n=10)低于3.0%.方法经国家实物标准物质验证,测定值与标准值基本相符.
关键词:多元光谱拟合;电感耦合等离子体发射光谱法;微量元素;工业硅
分类号:O657.31  文献标识码:B

文章编号:0254-5357(2009)01-0072-03
Simultaneous Determination of Micro-amount of Elements in Industrial Silicon by Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry
SHA Yan-mei 

作者简介:沙艳梅(1966-),女,河南太康人,高级工程师,地球化学专业.E-mail: shayanmei966@sohu.com
作者单位:沙艳梅(河南省南阳地质测试研究中心,河南,南阳,473000) 
参考文献:
[align=justify][1]GB/T 14849-93,工业硅化学分析分析方法;铁、铝、钙含量的测定[S].
[2]杨万彪,傅明,陈新焕,胡宇东,袁智能.ICP-AES测定工业硅中10种元素[J].冶金分析,2003,23(1):9-11.
[3]成勇,肖军,宁燕平,胡金荣.ICP-AES法测定金属硅中杂质元素[J].冶金分析,2005,25(3):76-79.
[4]曹海宁,王志嘉,赵婷,刘睿,王浩.ICP-AES法快速测定工业硅中杂质元素[J].理化检验:化学分册,2000,36(6):274-275.
[5]张桂广,黄奋,孙晓刚.ICP-AES法测定纯硅中的Al、B、Ba、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Ni、Sr、Ti、V和Zn杂质元素[J].光谱学与光谱分析,2000,20(1):71-73.
[6]宋武元,张桂广,郑建国.电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定纯硅中硼等13个杂质元素[J].理化检验:化学分册,2005,41(11):806-811.
[7]陈新坤.电感耦合等离子体原子发射光谱法原理和应用[M].天津:南开大学出版社,1987:19-28.
[8]朱春富,吴琼.IC用高纯试剂中金属杂质分析[J].光谱学与光谱分析,1994,14(3):71-78.
[9]龚迎莉,汪双清,沈斌.电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定沉积岩中15个元素[J].岩矿测试,2007,26(3):230-232

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发表于 2013-11-2 16:58 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

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admin + 1 亲,你好快哦~~~

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